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多体效应在低维电子体系中发挥着重要作用，而且因为其与蜂窝拓扑结构之间相互作用而使其在石墨烯物理范畴引起了极大的关注。尽管石墨烯中相互作用的理论处理一般假定体系均为清洁且可控的，但这些先决条件难以在天然材料中得到满意。石墨烯中的二维（2D）鞍点激子（从M点处的鞍点奇点红移）具有明显的多体效应，但它们的光学呼应远低于器材使用的相关能量规模。人工石墨烯（AG）是一种用于模仿2D晶体物理中量子行为的可控渠道，其所具有可调蜂窝晶格的AG体系适用于探究类石墨烯带结构中多体效应的量子条件。但是，目前固态AG中的电子-电子相互作用还未见签到，尤其是GaAs基的AG，主要是难以实现调查这种效应的低无序性条件。
近来，哥伦比亚大学的Lingjie Du（通讯作者）等人在闻名期刊Nature Communications上宣布题为“Emerging many-body effects in semiconductor artificial graphene with low disorder”的研讨论文，文中报导了在高迁移率的GaAs量子阱（QW）上实现了低无序半导体AG。研讨人员制备出了小周期三角形的反点晶格，用以明显抑制加工扰动对电子的影响，从而在所成长的QWs上坚持了高质量状态。这一成就使调查到受交流库仑相互作用的团体鞍点自旋激子成为可能，所调查到的库仑交流相互作用能量与M点处狄拉克带的能隙适当，这表明准粒子相互作用与AG势能之间的相互影响。在低无序的AG晶格中调查团体鞍点自旋激子以及所呈现的相对大的库仑相互作用都表明在AG中是以电子-电子相互作用效应为主导的体系，这就可以探究一些在石墨烯中无法得到的多体效应。